Транзисторы полевые (MOSFET)

Полевые транзисторы — это разновидность активных полупроводниковых приборов, работа которых основана на управлении потоком электронов посредством электрического поля, создаваемого управляющим сигналом. Среди полевых транзисторов выделяют два основных типа: JFET (Junction Field Effect Transistor) и MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor).

Принцип работы полевого транзистора основан на изменении ширины канала прохождения заряда (канала между истоком и стоком) под воздействием управляющего сигнала, подаваемого на затвор. Управляющий сигнал создаёт электрическое поле, которое регулирует количество свободных носителей заряда в канале, изменяя таким образом величину протекающего тока. При подаче напряжения на затвор образуется вертикальное электрическое поле, воздействующее на объем полупроводника. Если управляющее напряжение достаточно велико, создаётся обеднённый слой вблизи поверхности полупроводника, уменьшающий поперечное сечение канала и препятствующий прохождению тока. Купить полевые транзисторы можно на нашем сайте.

В зависимости от режима работы различают:

• Обогащённый режим (Enhancement Mode). Канал отсутствует изначально и формируется только при приложении положительного напряжения на затвор.
• Обеднённый режим (Depletion Mode). Проводящий канал присутствует постоянно и уменьшается при положительном смещении на затворе.

Основные характеристики полевых транзисторов включают:

• Напряжение отсечки (Cut-off voltage). Минимальное значение напряжения на затворе, при котором ток стока практически равен нулю.
• Крутизна передаточной характеристики (Transconductance). Показатель чувствительности выходного тока к изменению напряжения на затворе.
• Сопротивление насыщения канала (Channel resistance in saturation mode). Определяет падение напряжения на устройстве при полном открытии канала.
• Время переключения (Switching time). Временные задержки при включении и отключении транзистора.
• Теплоустойчивость (Thermal stability). Допустимый диапазон рабочих температур и тепловой коэффициент сопротивления.

Наиболее распространёнными среди полевых транзисторов являются транзисторы типа MOSFET (металлооксидные полупроводники). Их конструкция включает металлический контакт (затвор), изолированный тонким слоем оксида металла от подложки (исток и сток расположены на противоположных сторонах контакта).