Транзисторы IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) это гибридный полупроводниковый прибор, сочетающий свойства полевого МОП-транзистора (MOSFET) и биполярного транзистора. Основное преимущество IGBT состоит в сочетании высокого коэффициента усиления и низкого уровня сопротивления открытого состояния, что обеспечивает высокую энергоэффективность и низкие потери мощности. Купить IGBT- транзисторы можно на нашем сайте.

Основные характеристики IGBT-транзисторов включают:

• Напряжение пробоя может достигать значений порядка тысяч вольт.
• Ток коллектора. Возможности варьируются от единиц до сотен ампер.
• Частота переключения ограничена несколькими килогерцами, однако современные модели достигают десятков килогерц.
• Коэффициент передачи тока значительно выше, чем у MOSFET.
• Низкий уровень падения напряжения на коллекторе-эмиттере при высоком токе.

Транзисторы серий IRF известны своими высокими показателями производительности и широким спектром характеристик, что делает их востребованными в различных областях, начиная от бытовой электроники и заканчивая автомобильной техникой и источниками питания.

Особенности серии IRF:

• Нулевое время восстановления обратного диода, позволяющее снизить электрические шумы и повысить КПД схем.
• Маленькие габариты и низкий вес делают возможным использование в мобильных устройствах и компактных изделиях.
• Очень малые паразитные ёмкости позволяют легко управлять устройствами с микропроцессорных контроллеров и Arduino-плат.
• Минимальные потери мощности обеспечивают повышение общей энергоэффективности устройства.